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优化电池充电器设计，以从太阳能电池板获得***大电力

假定 MOSFET Q1 上的压降为 300mV ，那么每个单元上的压降将等于 436mV ，这将化太阳能电池板的功率输出。如果 VOUT 大于 4.5V ，那么 DPPM 不起作用，太阳能电池板将远离其 MPP 。不过，只有系统和电池充电器所需的电力小于太阳能电池板的供电量时，才会发生上述情况。这时，效率降低并不会很重要。图 3 显示出，输出功率接近 MPP 时，其曲线比较平坦，随后会急剧下降，因此我们将 VDPPM 设得略高一些，而不要设得略低，这将尽可能降低因工作电压设置不当而对输出功率产生不良影响。假如即便电池充电电流降至零时，太阳能电池板可用的电力也不足以给系统供电的话，那么 MOSFET Q 2 将完全打开， VOUT 刚好降至电池电压 VBAT 值以下，且电池可提供太阳能电池板所不能提供的电流。

如充电器工作于 DPPM 中时，内部安全定时器会自动扩展。这样，在低光照或无光照等特殊工作条件下，电池充电会非常慢，抑或电池会处于放电模式。我们几乎不可能就所有应用设置适当的充电安全定时器，否则就可能导致安全定时器出错，因此我们可通过禁用安全定时器来解决相关问题。

材料和寿命

当前，晶体硅材料（包括多晶硅和单晶硅）是的光伏材料，其市场占有率在 90% 以上 , 而且在今后相当长的一段时期也依然是太阳能电池的主流材料。多晶硅材料的生产技术长期以来掌握在美、日、德等 3 个*** 7 个公司的 10 家工厂手中，形成技术、市场垄断的状况。多晶硅的需求主要来自于半导体和太阳能电池。按纯度要求不同，分为电子级和太阳能级。其中，用于电子级多晶硅占 55% 左右，太阳能级多晶硅占 45% ，随着光伏产业的迅猛发展，太阳能电池对多晶硅需求量的增长速度高于半导体多晶硅的发展，预计到 2008 年太阳能多晶硅的需求量将超过电子级多晶硅。 1994 年全世界太阳能电池的总产量只有 69MW ，而 2004 年就接近 1200MW ，在短短的 10 年里就增长了 17 倍。***预测太阳能光伏产业在二十一世纪前半期将超过成为的基础能源之一。

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